Група вчених з Пенсільванського університету опублікувала в журналі Nature Electronics статтю, в якій повідомила про розробку та створення прототипу енергонезалежної пам’яті, здатної працювати при нагріванні до 600 °C протягом 60 годин поспіль.
Винайдена пам’ять важлива для поєднання з електронікою на основі карбіду кремнію, який теоретично теж здатний витримувати робочі температури до 600 °C включно. Теоретична межа роботи кремнієвої електроніки становить 125 °C.
Логіка на карбіді кремнію в поєднанні з щойно представленою пам’яттю на сегнетоелектричних діодах дозволить створювати відносно продуктивні обчислювальні платформи. Можна буде розробляти навіть платформи зі штучним інтелектом для спуску обладнання на глибину до 100 км під поверхню землі або для роботи на поверхні Венери.
Створений в Університеті Пенсільванії 45-нм прототип сегнетоелектричної енергонезалежної пам’яті є синтезованою сполукою AIScN. Експериментальний осередок пам’яті був протестований у лабораторії при нагріванні до 600 °C і залишався працездатним з напругою живлення нижче 15 В. При цьому елемент пам’яті демонстрував швидке перемикання між станами, обіцяючи продуктивну роботу у складі майбутніх високотемпературних мікроелектронних рішень.
No Comment! Be the first one.